時間：2017-10-12 點擊： 次 來源：網絡 作者：佚名 - 小 + 大
| 多晶硅硅片制片過程中，氧化、外延、擴散、光刻等工序都要涉及到去除污染物的清洗，其表面污染物的如果不去除，或去除不徹底，會嚴重影響晶片優質品率，同時影響晶片的可靠性，清洗多次反復清洗，不但要去除硅片表面的有機物，清洗液通常采用堿性或弱堿性洗液，表面顆粒尺寸小于微米甚至達到納米級，清洗有效率高，晶片無沉淀，達到理想的清洗效果。 多晶硅加工研磨中，比較值得注意的環節是硅磨片的清洗，因為研磨需要去除硅晶圓一定的厚度，隨著加工的深入，磨片表面不斷掉落的硅粉和沙粒，影響著光潔度，再次如有研磨不均勻則還會在晶圓片毛糙的表面嵌入沙粉，后續的清洗工作就帶來了困難。雷士超聲波科技人員通過實驗，利用堿性清洗劑，在LSAP超聲波清洗設備清洗槽中，配合滲透劑、表面活性劑等對硅磨片進行清洗，這種超聲波水基型清洗的方法，可以把清洗時間降低到3～5分鐘，有效提高了清洗的效率和清洗效果，并且對硅晶圓、研磨晶片表面無損傷。詳情可致電0510-82465315 |
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