時(shí)間：2017-10-12 點(diǎn)擊： 次 來源：網(wǎng)絡(luò) 作者：佚名 - 小 + 大
| 傳統(tǒng)的硅片清洗技術(shù)是基于美國(guó)無線電公司研發(fā)的RCA (Radio Company of America的縮寫)清洗技術(shù)，這種清洗技術(shù)必須消耗大量的強(qiáng)酸、強(qiáng)堿等洗劑，不但成本太高、污染更是大的驚人，目前只在電子級(jí)的硅片清洗中還在使用。在RCA清洗技術(shù)的原理上，可依據(jù)太陽能多晶硅片表面污染物的種類特性，開發(fā)一種低成本高效率的多晶硅片除油除塵清洗技術(shù)是必須的。采用超聲波清洗工藝，雷士超聲波科技先計(jì)算硅片的清洗數(shù)量，先確定40KHZ超聲波頻率，然后根據(jù)數(shù)量排布超聲波的功率為16KW，清洗槽的加熱溫度65℃，加熱管使用M型加熱管還是鋁基貼膜加熱，這個(gè)可以廠方需要來設(shè)定。然后計(jì)算清洗時(shí)間，分配清洗劑濃度配比一般為1：20，對(duì)污染硅片清洗后表面接觸角的影響,確定了硅片清洗劑的最佳實(shí)驗(yàn)室清洗工藝為超聲功率80W,溫度60℃,清洗時(shí)間5min,清洗劑濃度10%。超聲波清洗技術(shù)清洗污染的硅片后，硅片的表面形貌不變、接觸角小和表面粗糙度低，有機(jī)物和金屬離子殘留少，具有較高的潔凈度，達(dá)到非常好的清洗效果。 |
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