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單晶硅清洗超聲波清洗法

時間:2017-10-13    點擊: 次    來源:網絡    作者:佚名 - 小 + 大

    超聲波清洗單晶硅片的方法是行業共知的,主要是將被洗研磨的單硅片,鋪排水平狀放在框架上,然后放到清洗槽底部,框架由支撐腳支撐在清洗槽內,必須保證去離子水的高度蓋過單晶硅片,超聲波電源也即Ultrasonic Generator輸送電源,安裝在超聲波清洗槽底部的超聲波振子將電能轉換成機械能進行清洗,超聲波頻率為40KHz,單晶硅硅片黑色污染物不斷被洗出,基本5分鐘將研磨的單晶片翻一個面,連續進行超聲波清洗,直到干凈為止。原則上單晶硅片應平鋪,堆積太多的話由于超聲波穿透力問題難以達到,最上面的一層難以清洗干凈。PP花籃一般用聚四氟材料制成,會吸附和阻擋一部分超聲波的傳遞,會造成硅片表面局部區域清洗不干凈的現象。

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